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    位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第22页 > KMM5362205C2W
    DRAM模块
    KMM5362205C2W/C2WG
    2Mx36 DRAM SIMM
    ( 1MX16基地,四CAS EDO )
    修订版0.0
    1997年11月
    -1-
    修订版0.0 (1997年11月)
    DRAM模块
    修订历史
    版本0.0 ( 1997年11月)
    ?更改模块PCB 6层至4层。
    KMM5362205C2W/C2WG
    ?更改模块部件号从KMM5362205CW / CWG到KMM5362205C2W / C2WG造成的PCB版本。
    -2-
    修订版0.0 (1997年11月)
    DRAM模块
    KMM5362205C2W/C2WG
    与扩充数据输出KMM5362205C2W / C2WG快速页面模式
    2M ×36 DRAM SIMM使用1Mx16和4M四CAS EDO , 1K刷新,
    概述
    三星KMM5362205C2W是2Mx36bits动态
    RAM的高密度内存模块。三星
    KMM5362205C2W由四个CMOS 1Mx16bits DRAM中
    在42引脚SOJ封装和两个CMOS 1Mx4位四CAS
    与EDO DRAM采用24引脚SOJ封装安装在一个72引脚
    玻璃环氧基板。一个0.1或0.22uF的去耦电容
    安装在印刷电路板上为每个DRAM 。该
    KMM5362205C2W是一个单列直插式内存模块
    边缘连接,并适于安装到72针
    边缘连接器插座。
    特点
    ?零件识别
    - KMM5362205C2W ( 1024次/ 16ms的参考, SOJ ,焊接)
    - KMM5362205C2WG (1024次/ 16ms的参考, SOJ ,金)
    ?使用扩展数据输出快速页面模式
    ? CAS先于RAS的刷新功能
    ? RAS-只和隐藏刷新功能
    ? TTL兼容的输入和输出
    ?单+ 5V
    ±10%
    电源
    ? JEDEC标准PDpin &引出线
    ? PCB :身高( 750mil ) ,双面组件
    性能范围
    速度
    -5
    -6
    t
    RAC
    50ns
    60ns
    t
    CAC
    15ns
    17ns
    t
    RC
    90ns
    110ns
    t
    HPC
    25ns
    30ns
    销刀豆网络gurations
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    22
    23
    24
    25
    26
    27
    28
    29
    30
    31
    32
    33
    34
    35
    36
    符号
    V
    SS
    DQ0
    DQ18
    DQ1
    DQ19
    DQ2
    DQ20
    DQ3
    DQ21
    VCC
    NC
    A0
    A1
    A2
    A3
    A4
    A5
    A6
    Res(A10)
    DQ4
    DQ22
    DQ5
    DQ23
    DQ6
    DQ24
    DQ7
    DQ25
    A7
    Res(A11)
    VCC
    A8
    A9
    RAS1
    RAS0
    DQ26
    DQ8
    37
    38
    39
    40
    41
    42
    43
    44
    45
    46
    47
    48
    49
    50
    51
    52
    53
    54
    55
    56
    57
    58
    59
    60
    61
    62
    63
    64
    65
    66
    67
    68
    69
    70
    71
    72
    符号
    DQ17
    DQ35
    VSS
    CAS0
    CAS2
    CAS3
    CAS1
    RAS0
    RAS1
    NC
    W
    NC
    DQ9
    DQ27
    DQ10
    DQ28
    DQ11
    DQ29
    DQ12
    DQ30
    DQ13
    DQ31
    VCC
    DQ32
    DQ14
    DQ33
    DQ15
    DQ34
    DQ16
    NC
    PD1
    PD2
    PD3
    PD4
    NC
    VSS
    引脚名称
    引脚名称
    A0 - A9
    DQ0 - DQ35
    W
    RAS0 , RAS1
    CAS0 - CAS3
    PD1 -PD4
    VCC
    VSS
    NC
    水库
    功能
    地址输入
    IN / OUT数据
    读/写使能
    行地址选通
    列地址选通
    设备检测
    Power(+5V)
    无连接
    保留引脚
    存在检测引脚(可选)
    PD1
    PD2
    PD3
    PD4
    50NS
    NC
    NC
    VSS
    VSS
    60NS
    NC
    NC
    NC
    NC
    *引脚连接可改变
    三星电子有限公司
    保留的权利
    改变产品规格,恕不另行通知。
    -3-
    修订版0.0 (1997年11月)
    DRAM模块
    功能框图
    KMM5362205C2W/C2WG
    DQ0-DQ7
    RAS0
    RAS
    DQ0
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    DQ4
    DQ5
    DQ6
    DQ7
    DQ8
    DQ9
    DQ10
    DQ11
    DQ12
    DQ13
    DQ14
    DQ15
    DQ9-DQ16
    DQ0
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    DQ4
    DQ5
    DQ6
    DQ7
    RAS
    RAS1
    CAS0
    LCAS
    U0
    LCAS
    U3
    UCAS
    CAS0
    CAS1
    UCAS
    OE
    W
    A0-A9
    DQ8
    DQ9
    DQ10
    DQ11
    DQ12
    DQ13
    DQ14
    DQ15 A0 -A9
    CAS1
    OE
    W
    RAS
    CAS0
    CAS1
    CAS2
    CAS3
    OE
    W
    RAS
    CAS0
    CAS1
    U2
    CAS2
    CAS3
    OE
    Wˉˉ A0 -A9
    DQ0
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    DQ8
    DQ17
    DQ26
    DQ35
    DQ0
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    U5
    A0-A9
    DQ0
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    DQ4
    DQ5
    DQ6
    DQ7
    DQ8
    DQ9
    DQ10
    DQ11
    DQ12
    DQ13
    DQ14
    DQ15
    DQ18-DQ25
    DQ0
    DQ1
    DQ2
    DQ3
    DQ4
    DQ5
    DQ6
    DQ7
    RAS
    RAS
    CAS2
    LCAS
    U1
    LCAS
    U4
    UCAS
    CAS2
    CAS3
    UCAS
    DQ27-DQ34
    OE
    W
    W
    A0-A9
    A0-A9
    DQ8
    DQ9
    DQ10
    DQ11
    DQ12
    DQ13
    DQ14
    DQ15 A0 -A9
    CAS3
    OE
    W
    VCC
    0.1或.22uF电容器
    每个DRAM
    VSS
    所有的DRAM
    -4-
    修订版0.0 (1997年11月)
    DRAM模块
    绝对最大额定值*
    任何引脚相对于V电压
    SS
    在V电压
    CC
    供应相对于V
    SS
    储存温度
    功耗
    短路输出电流
    符号
    V
    IN
    , V
    OUT
    V
    CC
    T
    英镑
    P
    d
    I
    OS
    KMM5362205C2W/C2WG
    等级
    -1到7.0
    -1到7.0
    -55到+150
    6
    50
    单位
    V
    V
    °C
    W
    mA
    *如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
    条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下,在
    往往
    期间可能会影响器件的可靠性。
    推荐工作条件
    (电压参考V
    SS
    , T
    A
    = 0 ?70℃ )
    电源电压
    输入高电压
    输入低电压
    *1 : V
    CC
    + 2.0V /为20ns ,脉冲宽度测量V
    CC
    .
    * 2 : -2.0V / 20ns的,脉冲宽度测量V
    SS
    .
    符号
    V
    CC
    V
    SS
    V
    IH
    V
    IL
    4.5
    0
    2.4
    -1.0
    *2
    典型值
    5.0
    0
    -
    -
    最大
    5.5
    0
    Vcc+1
    *1
    0.8
    单位
    V
    V
    V
    V
    DC和工作特性
    (推荐工作条件,除非另有说明)
    符号
    I
    CC1
    I
    CC2
    I
    CC3
    I
    CC4
    I
    CC5
    I
    CC6
    I
    I(L)
    I
    O( L)
    V
    OH
    V
    OL
    I
    CC1
    I
    CC2
    I
    CC3
    I
    CC4
    I
    CC5
    I
    CC6
    I
    I(L)
    I
    O( L)
    V
    OH
    V
    OL
    速度
    -5
    -6
    不在乎
    -5
    -6
    -5
    -6
    不在乎
    -5
    -6
    不在乎
    不在乎
    KMM5322205C2W/C2WG
    -
    -
    最大
    391
    361
    12
    391
    361
    331
    301
    6
    391
    361
    30
    10
    -
    0.4
    单位
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    uA
    uA
    V
    V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -30
    -10
    2.4
    -
    :工作电流* ( RAS , CAS ,地址@骑自行车
    t
    RC
    =分钟)
    :待机电流( RAS = CAS = W = V
    IH
    )
    : RAS只刷新电流* ( CAS = V
    IH
    , RAS循环@
    t
    RC
    =分钟)
    : EDO模式电流* ( RAS = V
    IL
    中科院循环:
    t
    HPC
    =分钟)
    :待机电流( RAS = CAS = W = VCC- 0.2V )
    : CAS先于RAS的刷新电流* ( RAS和CAS @骑自行车
    t
    RC
    =分钟)
    :输入漏电流(任何输入0
    ≤V
    IN
    ≤Vcc+0.5V,
    所有其它引脚不能被测= 0 V)
    :输出漏电流(数据输出被禁用, 0V
    ≤V
    OUT
    ≤VCC )
    :输出高电压电平(I
    OH
    = -5mA )
    :输出低电压电平(I
    OL
    = 4.2毫安)
    *注
    : I
    CC1
    , I
    CC3
    , I
    CC4
    CC6
    依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
    I
    CC
    被指定为一个平均电流。在我
    CC1
    CC3
    ,地址可以在RAS = V来改变最大的一次,
    IL
    。在我
    CC4
    ,
    地址可以被改变最多在一个EDO模式循环一次,
    t
    HPC 。
    -5-
    修订版0.0 (1997年11月)
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      QQ: QQ:2851402160
      电话:0755-82798701
      联系人:张小姐
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      -
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      地址:深圳市 福田区 振兴路 上步管理大厦 501栋402室 【◆代理◆ALLEGRO/雅丽高,ON-BRIGHT/昂宝,BOURNS/伯恩斯 ◆全系列◆】

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    QQ: QQ:5645336
    电话:13910052844(微信同步)
    联系人:刘先生
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    KMM5362205C2W
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