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    IRFP4229PBF

    发布时间:2021/9/23 10:00:00 访问次数:66发布企业:深圳市腾桩电子有限公司

    产品属性 属性值 搜索类似
    制造商: Infineon
    产品种类: MOSFET
    RoHS: 详细信息
    技术: Si
    安装风格: Through Hole
    封装 / 箱体: TO-247-3
    晶体管极性: N-Channel
    通道数量: 1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压: 250 V
    Id-连续漏极电流: 44 A
    Rds On-漏源导通电阻: 46 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
    Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
    Qg-栅极电荷: 72 nC
    小工作温度: - 40 C
    大工作温度: + 175 C
    Pd-功率耗散: 310 W
    通道模式: Enhancement
    封装: Tube
    商标: Infineon / IR
    配置: Single
    下降时间: 19 ns
    正向跨导 - 小值: 83 S
    高度: 20.7 mm
    长度: 15.87 mm
    产品类型: MOSFET
    上升时间: 27 ns
    工厂包装数量: 25
    子类别: MOSFETs
    晶体管类型: 1 N-Channel
    典型关闭延迟时间: 44 ns
    典型接通延迟时间: 25 ns
    宽度: 5.31 mm
    零件号别名: IRFP4229PBF SP001578046
    单位重量: 6 g

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