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    SI2305CDS-T1-GE3

    发布时间:2021/9/23 9:48:00 访问次数:46发布企业:深圳市腾桩电子有限公司

    产品属性 属性值 搜索类似
    制造商: Vishay
    产品种类: MOSFET
    RoHS: 详细信息
    技术: Si
    安装风格: SMD/SMT
    封装 / 箱体: SOT-23-3
    晶体管极性: P-Channel
    通道数量: 1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压: 8 V
    Id-连续漏极电流: 5.8 A
    Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
    Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
    Qg-栅极电荷: 12 nC
    小工作温度: - 55 C
    大工作温度: + 150 C
    Pd-功率耗散: 1.7 W
    通道模式: Enhancement
    商标名: TrenchFET
    封装: Reel
    封装: Cut Tape
    封装: MouseReel
    商标: Vishay Semiconductors
    配置: Single
    下降时间: 10 ns
    高度: 1.45 mm
    长度: 2.9 mm
    产品类型: MOSFET
    上升时间: 20 ns
    系列: SI2
    工厂包装数量: 3000
    子类别: MOSFETs
    晶体管类型: 1 P-Channel
    典型关闭延迟时间: 40 ns
    典型接通延迟时间: 20 ns
    宽度: 1.6 mm
    零件号别名: SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3
    单位重量: 8 mg

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