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    SI2301CDS-T1-GE3

    发布时间:2021/9/6 16:25:00 访问次数:166发布企业:深圳市腾桩电子有限公司

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    产品属性 属性值 搜索类似
    制造商: Vishay
    产品种类: MOSFET
    RoHS: 详细信息
    技术: Si
    安装风格: SMD/SMT
    封装 / 箱体: SOT-23-3
    晶体管极性: P-Channel
    通道数量: 1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压: 20 V
    Id-连续漏极电流: 3.1 A
    Rds On-漏源导通电阻: 112 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
    Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
    Qg-栅极电荷: 3.3 nC
    小工作温度: - 55 C
    大工作温度: + 150 C
    Pd-功率耗散: 1.6 W
    通道模式: Enhancement
    商标名: TrenchFET
    封装: Reel
    封装: Cut Tape
    封装: MouseReel
    商标: Vishay Semiconductors
    配置: Single
    下降时间: 10 ns
    产品类型: MOSFET
    上升时间: 35 ns
    系列: SI2
    工厂包装数量: 3000
    子类别: MOSFETs
    晶体管类型: 1 P-Channel
    典型关闭延迟时间: 30 ns
    典型接通延迟时间: 11 ns
    零件号别名: SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
    单位重量: 8 mg

    ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件、电源管理芯片、接口及通信器件以及各类二三极管(MOS管、肖特基、稳压管等),涉及通讯设备、汽车仪器、航空仪表、消费电子等领域!并能支持工厂BOM配单提供一站式采购服务

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    C1206X101K102T
    CC1206KRX7R9BB103
    CC1206KRX7R9BB223
    IRF540NPBF
    CC1206KKX7R8BB105
    IRF2807PBF
    AM26LS31CDR
    C1206X221K102T
    C1206N470J102T
    IRF640NPBF
    IRF9530NPBF
    ICE2PCS01G
    IR2104STRPBF
    IR2108STRPBF
    IRF7478TRPBF
    SI2302CDS-T1-GE3
    C1206X102K102T
    CC0805JRNPO9BN470
    ICE3PCS01G
    IRFB7434PBF
    IHW20N135R5
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    MCP606T-I/OT
    IRG4PH50SPBF
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    IRF7324TRPBF
    SI2318CDS-T1-GE3
    SI2318CDS-T1-GE3
    IRFU220NPBF
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    SN74AVC1T45DBVR
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    DRV8876PWPR
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    IPP076N15N5


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